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防浪涌電阻_源林電子(在線咨詢)_TVR防浪涌電阻：

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氧化鋅壓敏電阻因具有良好的非線性特性而成為低壓電源系統和信息系統中電涌防護的主要設施。其可靠性主要取決于壓敏電阻耐受電涌沖擊的能力。一個性能良好的氧化鋅壓敏電阻在經受電涌沖擊以后,其電氣特性應返回到初始狀態。然而在運行過程中,由于經受諸如電應力、機械應力等各種應力的作用,壓敏電阻會出現性能劣化和老化現象,這就降低了壓敏電阻電涌防護的能力。研究人員采用了多種測量及診斷裝置來研究壓敏電阻的老化機理及檢測金屬氧化物壓敏電阻內部的狀態[1～2]。一般經常采用的方法是測量直流1mA下壓敏電阻兩端的電壓或者測量壓敏電阻在一定幅值8/20電流沖擊下的殘壓來對壓敏電阻的電氣性能進行分析判斷。但是這些測試方法只能反映壓敏電阻的整體性能,不能反映壓敏電阻的老化及劣化的程度,所以無法為判斷壓敏電阻的性能狀態提供可靠的判據。

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壓敏電阻的特點是當加在它上面的電壓低于它的閥值'UN'時，流過它的電流極小，相當于一只關死的閥門，當電壓超過UN時，流過它的電流激增，相當于閥門打開。利用這一功能，可以抑制電路中經常出現的異常過電壓，保護電路免受過電壓的損害。例如：

現在我們家用的彩電的電源電路中就使用了氧化鋅壓敏電阻，這里使用的壓敏電阻的閥值電壓約為270V，當電源電壓小于270V時（正常值為220V）它相當于不導通，而當電源異常，短時超過270V時，它就導通，將電壓限制在270V。

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負一價和負二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩態，是老化產生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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